Analyse du vide induit par la contrainte et de l'électromigration des liaisons Cu-Cu – hinnat ja saatavuus
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L'empilage face face sur Wafer to Wafer (WoW) peut tre r alis pour les interconnexions Cu-Cu liaison directe. Une bonne r sistance m canique pour soutenir la force de cisaillement pendant l'amincissement peut tre obtenue par la liaison Cu. La fabrication de structures d'interconnexion fiables est un d fi permanent. Les contraintes r sultent du d p t de mat riaux, du d calage de la dilatation thermique et de l' lectromigration. Le d p t de mat riaux g n re in vitablement des contraintes. Les mat riaux des structures d'interconnexion, s lectionn s pour fonctionner comme conducteurs, di lectriques ou barri res, ont des coefficients de dilatation thermique dissemblables. La force motrice provient de la contrainte accumul e en raison de la croissance des grains et du d calage de la dilatation thermique (CTE) entre l'interconnexion en cuivre et les di lectriques. L'espace vide est alors cr afin de lib rer la contrainte r sultante. De m me, le ph nom ne d' lectromigration caus par le stress du courant cr e un vide. Ainsi, dans ce projet, j'ai travaill sur le vide induit par la contrainte et l' lectromigration d'un chantillon de liaison directe Cu-Cu avec une temp rature de liaison de 300C.
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