Nitin Malik

Mit dem Aufkommen tragbarer elektronischer und mobiler Kommunikationssysteme hat die Entwicklung von Niederspannungs- und stromsparenden Mixed-Mode-Schaltungen an Bedeutung gewonnen. F r den Betrieb solcher Systeme wie H rger te, implantierbare Herzschrittmacher, Mobiltelefone und tragbare Multimedia-Terminals usw. ist die Batterie die Hauptstromquelle. Sie erfordern eine geringe Verlustleistung, um eine angemessene Batterielebensdauer und ein angemessenes Gewicht zu erreichen. Die Entwicklung von Hochleistungs-Analogschaltungen wird durch den anhaltenden Trend zu niedrigeren Versorgungsspannungen immer schwieriger. Die niveaugeschobene Niederspannungs-CMOS-Stromspiegeltopologie wurde ausgew hlt und optimiert, um die gew nschten Ergebnisse zu erzielen, indem die Abmessungen der Transistoren und die Vorspannungen variiert wurden. Der Dynamikbereich wurde um einen Faktor von 800 A und die Bandbreite um mehr als 189 MHz im Vergleich zur Referenzarbeit verbessert. Die Verlustleistung hat sich um mehr als 40 % verbessert.

Con la llegada de los sistemas electr nicos port tiles y de comunicaci n m vil, el dise o de circuitos de modo mixto de bajo voltaje y bajo consumo ha cobrado importancia. Para el funcionamiento de estos sistemas, como aud fonos, marcapasos card acos implantables, tel fonos m viles y terminales multimedia port tiles, etc., la bater a es la principal fuente de energ a. Requieren una disipaci n de potencia baja para que la bater a tenga una duraci n y un peso razonables. El dise o de circuitos anal gicos de alto rendimiento se est convirtiendo en un reto cada vez mayor con la tendencia persistente hacia la reducci n de las tensiones de alimentaci n. Se ha seleccionado y optimizado la topolog a de espejo de corriente CMOS de bajo voltaje con desplazamiento de nivel para obtener los resultados deseados variando las dimensiones de los transistores y las tensiones de polarizaci n. El rango din mico ha mejorado en un factor de 800 A y el ancho de banda ha mejorado en m s de 189 MHz en comparaci n con el trabajo de referencia. La disipaci n de potencia ha mejorado en m s del 40%.

Con l'avvento dei sistemi elettronici portatili e di comunicazione mobile, la progettazione di circuiti in modalit mista a bassa tensione e a basso consumo ha acquisito importanza. Per il funzionamento di questi sistemi, come apparecchi acustici, pacemaker cardiaci impiantabili, telefoni cellulari e terminali multimediali portatili, ecc. la batteria la principale fonte di alimentazione. Questi sistemi richiedono una bassa dissipazione di potenza per avere una durata e un peso ragionevoli. La progettazione di circuiti analogici ad alte prestazioni sta diventando sempre pi impegnativa con la persistente tendenza a ridurre le tensioni di alimentazione. La topologia a specchio di corrente CMOS a bassa tensione stata selezionata e ottimizzata per ottenere i risultati desiderati variando le dimensioni dei transistor e le tensioni di polarizzazione. La gamma dinamica migliorata di un fattore di 800 A e la larghezza di banda migliorata di oltre 189 MHz rispetto al lavoro di riferimento. La dissipazione di potenza migliorata di oltre il 40%.

Com o advento dos sistemas de comunica o electr nicos e m veis port teis, a conce o de circuitos de modo misto de baixa tens o e baixa pot ncia ganhou import ncia. Para o funcionamento de tais sistemas, como aparelhos auditivos, pacemakers card acos implant veis, telem veis e terminais multim dia port teis, etc., a bateria a principal fonte de energia. Estes sistemas exigem uma baixa dissipa o de energia, de modo a terem uma dura o e um peso razo veis. A conce o de circuitos anal gicos de elevado desempenho est a tornar-se cada vez mais dif cil com a tend ncia persistente para tens es de alimenta o reduzidas. A topologia de espelho de corrente CMOS de baixa tens o com mudan a de n vel foi selecionada e optimizada para obter os resultados desejados, variando as dimens es dos trans stores e as tens es de polariza o. A gama din mica melhorou por um fator de 800 A e a largura de banda melhorou em mais de 189 MHz em compara o com o trabalho de refer ncia. A dissipa o de energia melhorou em mais de 40%.

Avec l'av nement des syst mes lectroniques portables et des syst mes de communication mobiles, la conception de circuits en mode mixte basse tension et faible consommation a pris de l'importance. Pour le fonctionnement de ces syst mes, tels que les appareils auditifs, les stimulateurs cardiaques implantables, les t l phones cellulaires et les terminaux multim dias portables, etc. Ils n cessitent une faible dissipation d' nergie afin d'avoir une dur e de vie et un poids raisonnables. La conception de circuits analogiques haute performance devient de plus en plus difficile en raison de la tendance persistante la r duction des tensions d'alimentation. La topologie de miroir de courant CMOS faible tension et niveau d cal a t s lectionn e et optimis e pour obtenir les r sultats souhait s en variant les dimensions des transistors et les tensions de polarisation. La gamme dynamique a t am lior e par un facteur de 800 A et la bande passante a t am lior e de plus de 189 MHz par rapport au travail de r f rence. La dissipation de puissance a t am lior e de plus de 40%.

With the advent of the portable electronic and mobile communication systems low-voltage and low-power mixed mode circuit design has gained importance. For the operation of such systems like hearing aids, implantable cardiac pacemakers, cell-phones and hand held multimedia terminals etc. battery is the main source of power. They require low power dissipation so as to have reasonable battery life and weight. Designing High Performance analog circuits is becoming increasingly challenging with the persistent trend toward reduced supply voltages. Level shifted low voltage CMOS current mirror topology was selected and optimized to get the desired results by varying dimensions of transistors and biasing voltages. Dynamic range has improved by a factor of 800 A and bandwidth has improved by more than 189 MHz as compared to the reference work. The power dissipation has improved by more than 40%.