Ritesh Singh

Para conceber uma mem ria din mica de acesso aleat rio s ncrono de 8 MB x 16 x 4-BAnk (SDRAM) (512 MB) utilizando a linguagem de descri o de hardware Verilog, que pode ser utilizada em qualquer aplica o baseada em mem ria. Actualmente, os computadores, bem como outros sistemas electr nicos que requerem grandes quantidades de mem ria, utilizam DRAMs para mem ria central. Devido estrutura nica da c lula transistor da DRAM, redes de mem ria extremamente densas podem ser constru das num nico dispositivo ocupando uma rea de ocupa o relativamente pequena. A DRAM convencional controlada de forma ass ncrona, exigindo que o projectista do sistema insira manualmente os estados de espera para cumprir as especifica es do dispositivo. O tempo de sincroniza o depende da velocidade da DRAM e independente da velocidade do bus do sistema. S o estas limita es de sincroniza o que levaram ao desenvolvimento da SDRAM. A SDRAM em grande parte uma DRAM r pida com uma interface s ncrona de alta velocidade. Sinais de entrada/sa da e controladores s o sincronizados com um rel gio externo, tornando novas op es dispon veis para o projectista. Circuitos de interface simplificados e alta largura de banda de transmiss o de dados podem ser obtidos usando SDRAM sobre DRAM convencionais.

Entwurf eines synchronen dynamischen Direktzugriffsspeichers (SDRAM) mit 8 MB x 16 x 4-BAnk (512 MB) unter Verwendung der Hardware-Beschreibungssprache Verilog, der in jeder speicherbasierten Anwendung eingesetzt werden kann. Heutzutage verwenden Computer und andere elektronische Systeme, die gro e Mengen an Speicher ben tigen, DRAMs als Kernspeicher. Aufgrund der einzigartigen Transistorzellenstruktur des DRAM k nnen extrem dichte Speichernetzwerke in einem einzigen Baustein mit relativ geringem Platzbedarf aufgebaut werden. Der herk mmliche DRAM wird asynchron gesteuert, so dass der Systementwickler die Standby-Zust nde manuell einf gen muss, um die Spezifikationen des Bausteins zu erf llen. Das Synchronisierungstiming h ngt von der DRAM-Geschwindigkeit ab und ist unabh ngig von der Systembusgeschwindigkeit. Diese Beschr nkungen der Synchronisation haben zur Entwicklung des SDRAM gef hrt, das im Wesentlichen ein schneller DRAM mit einer synchronen Hochgeschwindigkeitsschnittstelle ist. Eingangs-/Ausgangs- und Controllersignale werden mit einem externen Taktgeber synchronisiert, was dem Entwickler neue M glichkeiten er ffnet. Vereinfachte Schnittstellenschaltungen und ein hoher Bandbreitendurchsatz k nnen mit SDRAM im Vergleich zu herk mmlichem DRAM erzielt werden.

Concevoir une m moire dynamique synchrone acc s al atoire (SDRAM) de 8 MB x 16 x 4-BAnk (512 MB) en utilisant le langage de description du mat riel Verilog, qui peut tre utilis dans n'importe quelle application bas e sur la m moire. Aujourd'hui, les ordinateurs, ainsi que d'autres syst mes lectroniques qui n cessitent de grandes quantit s de m moire, utilisent des DRAM pour la m moire de base. En raison de la structure unique des cellules de transistor de la DRAM, des r seaux de m moire extr mement denses peuvent tre construits dans un seul dispositif occupant un encombrement relativement faible. La DRAM conventionnelle est contr l e de mani re asynchrone, ce qui oblige le concepteur du syst me ins rer manuellement les tats de veille pour r pondre aux sp cifications du dispositif. La synchronisation d pend de la vitesse de la DRAM et est ind pendante de la vitesse du bus syst me. Cesont ces limitations de la synchronisation qui ont conduit au d veloppement de la SDRAM. La SDRAM est en grande partie une DRAM rapide avec une interface synchrone grande vitesse. Les signaux d'entr e/sortie et de contr leur sont synchronis s avec une horloge externe, ce qui offre de nouvelles options au concepteur. Des circuits d'interface simplifi s et un d bit de donn es lev peuvent tre obtenus en utilisant la SDRAM par rapport la DRAM conventionnelle.

Progettare una memoria dinamica ad accesso casuale sincrono (SDRAM) da 8 MB x 16 x 4-BAnk (512 MB) utilizzando il linguaggio di descrizione hardware Verilog, che pu essere utilizzato in qualsiasi applicazione basata sulla memoria. Oggi i computer, cos come altri sistemi elettronici che richiedono grandi quantit di memoria, utilizzano le DRAM come memoria di base . Grazie all'esclusiva struttura a celle di transistor delle DRAM, possibile costruire reti di memoria estremamente dense in un singolo dispositivo che occupa un ingombro relativamente ridotto. Le DRAM convenzionali sono controllate in modo asincrono e richiedono che il progettista del sistema inserisca manualmente gli stati di standby per soddisfare le specifiche del dispositivo. I tempi di sincronizzazione dipendono dalla velocit della DRAM e sono indipendenti dalla velocit del bus di sistema. Queste limitazioni della sincronizzazione hanno portato allo sviluppo della SDRAM, che in gran parte una DRAM veloce con un'interfaccia sincrona ad alta velocit . I segnali di ingresso/uscita e di controllo sono sincronizzati con un clock esterno, rendendo disponibili nuove opzioni per il progettista. I circuiti di interfaccia semplificati e il throughput dei dati ad alta larghezza di banda possono essere ottenuti con le SDRAM rispetto alle DRAM convenzionali.

Dynamical system response and behavior can be analyzed using modeling and simulation process. Modeling is the exact depiction of the system which is represented using basic physical laws. These models are used for the digital computer simulation called platforms, where actual behavior and response of the model is analyzed considering that the exact physical system is responding to the changes made in the simulation platform. This work presents the modeling and simulation process and strategy of the Three Tank System and Rotary Inverted Pendulum.