Rohin Gupta

In dieser Arbeit wird die neuartige einseitige 5T- und 6T-SRAM-Zelle vorgestellt. Dieser Transistor ist eine Zelle mit hoher Dichte oder nimmt weniger Fl che ein als eine herk mmliche 6T-SRAM-Zelle. Der Leckstrom dieser Zelle ist im Vergleich zu anderen 5T- oder herk mmlichen 6T-Zellen sehr niedrig. F r diese Zelle ist wie bei einer herk mmlichen 6T-SRAM-Zelle eine Vorladeschaltung erforderlich. Diese Zelle ist au erdem energieeffizient. Die Ergebnisse zeigen au erdem, dass die in dieser Zelle gespeicherten Daten u erst stabil sind. Bei jeder Art von Schaltkreis oder Anwendung gibt es immer Raum f r Verbesserungen. Mit der vorgeschlagenen Konfiguration k nnen wir sie mit verschiedenen Techniken verbessern. Wir k nnen das Seitenverh ltnis der Zelle ndern, um bessere Ergebnisse zu erzielen. Wir k nnen Taktgatter f r einen energieeffizienten Schaltkreis anwenden. Wir k nnen den Peripherieschaltkreis f r eine bessere Leistung verbessern.

Neste trabalho, apresentada a nova c lula SRAM de extremidade nica 5T e 6T. Este trans stor uma c lula de alta densidade ou ocupa menos rea do que a c lula SRAM 6T convencional. A corrente de fuga desta c lula muito baixa em compara o com outras c lulas 5T ou 6T convencionais. necess rio um circuito de pr -carga para esta c lula, tal como na c lula SRAM 6T convencional. Esta c lula igualmente eficiente em termos de consumo de energia. Os resultados mostram tamb m que os dados armazenados nesta c lula s o altamente est veis. H sempre espa o para melhorias em qualquer tipo de circuito ou aplica o. Com a configura o proposta, podemos melhor -la com v rias t cnicas. Podemos alterar o r cio de aspeto da c lula para obter melhores resultados. Podemos aplicar o clock gating para obter um circuito eficiente em termos de energia. Podemos melhorar o circuito perif rico para obter um melhor desempenho.

In questo lavoro viene presentata una nuova cella SRAM single ended a 5T e 6T. Questo transistor una cella ad alta densit o occupa un'area inferiore rispetto alle celle SRAM convenzionali a 6T. La corrente di dispersione di questa cella molto bassa rispetto alle altre celle 5T o 6T convenzionali. Per questa cella necessario un circuito di precarica come per le celle SRAM convenzionali a 6T. Questa cella anche efficiente dal punto di vista energetico. Inoltre, i risultati mostrano che i dati memorizzati in questa cella sono altamente stabili. La configurazione proposta pu essere migliorata con varie tecniche. Possiamo cambiare il rapporto d'aspetto della cella per ottenere risultati migliori. Possiamo applicare il clock gating per ottenere un circuito efficiente dal punto di vista energetico. Possiamo migliorare il circuito periferico per ottenere prestazioni migliori.

Ce travail pr sente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T extr mit unique. Ce transistor est une cellule haute densit ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est tr s faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de pr charge est n cessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est galement conome en nergie. Les r sultats montrent galement que les donn es stock es dans cette cellule sont tr s stables. Il est toujours possible d'am liorer tout type de circuit ou d'application. La configuration propos e peut tre am lior e l'aide de diverses techniques. Nous pouvons modifier le rapport d'aspect de la cellule pour obtenir de meilleurs r sultats. Nous pouvons appliquer le gating d'horloge pour un circuit conome en nergie. Nous pouvons am liorer le circuit p riph rique pour de meilleures performances.