S S Gill

In dieser Arbeit wird die neuartige einseitige 5T- und 6T-SRAM-Zelle vorgestellt. Dieser Transistor ist eine Zelle mit hoher Dichte oder nimmt weniger Fl che ein als eine herk mmliche 6T-SRAM-Zelle. Der Leckstrom dieser Zelle ist im Vergleich zu anderen 5T- oder herk mmlichen 6T-Zellen sehr niedrig. F r diese Zelle ist wie bei einer herk mmlichen 6T-SRAM-Zelle eine Vorladeschaltung erforderlich. Diese Zelle ist au erdem energieeffizient. Die Ergebnisse zeigen au erdem, dass die in dieser Zelle gespeicherten Daten u erst stabil sind. Bei jeder Art von Schaltkreis oder Anwendung gibt es immer Raum f r Verbesserungen. Mit der vorgeschlagenen Konfiguration k nnen wir sie mit verschiedenen Techniken verbessern. Wir k nnen das Seitenverh ltnis der Zelle ndern, um bessere Ergebnisse zu erzielen. Wir k nnen Taktgatter f r einen energieeffizienten Schaltkreis anwenden. Wir k nnen den Peripherieschaltkreis f r eine bessere Leistung verbessern.

Neste trabalho, apresentada a nova c lula SRAM de extremidade nica 5T e 6T. Este trans stor uma c lula de alta densidade ou ocupa menos rea do que a c lula SRAM 6T convencional. A corrente de fuga desta c lula muito baixa em compara o com outras c lulas 5T ou 6T convencionais. necess rio um circuito de pr -carga para esta c lula, tal como na c lula SRAM 6T convencional. Esta c lula igualmente eficiente em termos de consumo de energia. Os resultados mostram tamb m que os dados armazenados nesta c lula s o altamente est veis. H sempre espa o para melhorias em qualquer tipo de circuito ou aplica o. Com a configura o proposta, podemos melhor -la com v rias t cnicas. Podemos alterar o r cio de aspeto da c lula para obter melhores resultados. Podemos aplicar o clock gating para obter um circuito eficiente em termos de energia. Podemos melhorar o circuito perif rico para obter um melhor desempenho.