Kirjojen hintavertailu – 12 859 829 kirjaa ja 27 kauppaa
Estudo do potencial de superfície sublimiar de MOSFETs – Swapnadip De, kirjan kansikuva

Estudo do potencial de superfície sublimiar de MOSFETs – hinnat ja saatavuus

Kirjafiili on kirjojen hintavertailu. Löydä halvin hinta 27 kirjakaupasta. Hintavertailu koskee ISBN-tunnusta 9786206353171 (pokkari).

Kirjan kuvaus

Neste livro, o foco principal foi a modelagem e a influ ncia das camadas de deple o em torno das regi es de fonte e dreno nas caracter sticas sublimiares de um transistor MOS de canal curto com canal uniformemente dopado. Foi desenvolvido… Näytä koko kuvaus

Neste livro, o foco principal foi a modelagem e a influ ncia das camadas de deple o em torno das regi es de fonte e dreno nas caracter sticas sublimiares de um transistor MOS de canal curto com canal uniformemente dopado. Foi desenvolvido um modelo anal tico para o potencial de superf cie sublimiar num trans stor MOS de canal curto, resolvendo a equa o de Poisson pseduo-2D, formulada atrav s da aplica o da lei de Gauss a uma caixa retangular no canal que cobre toda a profundidade da camada de deple o. O modelo foi capaz de prever uma maior influ ncia das regi es de deple o da jun o para um comprimento de canal menor e/ou tens es de polariza o dreno/fonte mais elevadas devido a uma maior partilha de carga. O mesmo modelo aplicado para encontrar o potencial de superf cie sublimiar para MOSFETs de duplo halo. A diminui o da dimens o do dispositivo leva redu o da espessura do xido de porta. Como resultado, o efeito indesej vel de electr es quentes e a corrente de tunelamento da porta aumentam. Para ultrapassar este inconveniente, s o utilizados materiais high-k em vez de di xido de sil cio como material isolante por baixo da porta. Esta modela o revelar-se- ben fica e contribuir para futuros trabalhos de investiga o.

Kirjan tiedot

ISBN 9786206353171
Kustantaja Edicoes Nosso Conhecimento
Vuosi 2023
Formaatti pokkari
Sivuja 68
Kieli portugali
Paino 113 g

Vertaa kirjan ”Estudo do potencial de superfície sublimiar de MOSFETs” hintoja

Vertaa tuotteen hintaa ja arvioitua kokonaishintaa toimitettuna. Kaikki hinnat koskevat ISBN-tunnusta 9786206353171.

Hintoja ei päivitetty automaattisesti. Voit hakea ajantasaiset hinnat painamalla Hae hinnat.

0 kirjakauppaa
Kauppa

Booky

—
—
Ei saatavilla

Suomalainen

—
—
Ei saatavilla

Kansallinen Kirjakauppa

—
—
Ei saatavilla

Prisma

—
—
Ei saatavilla

Finlandia Kirja

—
—
Ei saatavilla

Fantasiapelit

—
—
Ei saatavilla

Vinhan kirjakauppa

—
—
Ei saatavilla

CDON

—
—
Ei saatavilla

Kustantamo S&S

—
—
Ei saatavilla

Kennys.ie

—
—
Ei saatavilla

Kristillinenkirjakauppa.fi

—
—
Ei saatavilla

Sacrum

—
—
Ei saatavilla

Adlibris

—
—
Ei saatavilla

BookOutlet.fi

—
—
Ei saatavilla

Kirja.fi

—
—
Ei saatavilla

Rosebud

—
—
Ei saatavilla

Tälle kirjalle ei ole tällä hetkellä vahvistettua hintaa. Tarkista tilanne myöhemmin uudelleen.

Hintoja ei ole vielä päivitetty.

Saat sähköpostin, kun hinta laskee asettamaasi rajaan tai sen alle.

€
Sisällytä toimituskulut hintaan

Estudo do potencial de superfície sublimiar de MOSFETs – hintahistoria

Seuraamme kirjan Estudo do potencial de superfície sublimiar de MOSFETs hintakehitystä kirjakaupoissa. Taulukosta näet viime kuukausien alimmat hinnat.

Alin hinta kauppoittain

Kunkin kaupan alin hinta viimeisten 90 päivän aikana.

Hintahistoriaa ei ole vielä kerätty tälle kirjalle.

Hinnat ilman toimituskuluja.