Ishita Gupta

In questo libro l'attenzione si concentrata sulla modellazione e sull'influenza degli strati di deplezione attorno alle regioni di source e drain sulle caratteristiche sotto-soglia di un transistor MOS a canale corto con canale uniformemente drogato. stato sviluppato un modello analitico per il potenziale superficiale sotto-soglia in un transistor MOS a canale corto risolvendo l'equazione di Poisson pseduo-2D, formulata applicando la legge di Gauss a una scatola rettangolare nel canale che copre l'intera profondit dello strato di impoverimento. Il modello stato in grado di prevedere una maggiore influenza delle regioni di deplezione della giunzione per una minore lunghezza del canale e/o per tensioni di polarizzazione drain/source pi elevate, a causa di una maggiore condivisione della carica. Lo stesso modello stato applicato per trovare il potenziale superficiale sotto soglia dei MOSFET a doppio alone. La riduzione delle dimensioni del dispositivo porta alla riduzione dello spessore dell'ossido di gate. Di conseguenza, aumenta l'effetto indesiderato degli elettroni caldi e la corrente di tunneling di gate. Per ovviare a questo inconveniente, al posto del biossido di silicio come materiale isolante sotto il gate vengono utilizzati materiali ad alto coefficiente k. Questi modelli si riveleranno utili e contribuiranno a ulteriori lavori di ricerca in futuro.

ilustrada uma descri o simples e informativa do tema que ben fica tanto para os estudantes de gradua o como para os estudantes de p s-gradua o. O livro inteiro foi agrupado em 24 sec es com cada cap tulo contendo uma perspectiva optimizada para fornecer uma s ntese do que explorar Numerosas subsec es e um ndice exaustivo que favorece o r pido acesso aos leitores. Ilustra es, fluxogramas e tabelas podem ser prontamente associados ao conceito aprendido para correla o, intercep o e recolha por parte dos estudantes.

In diesem Buch liegt der Schwerpunkt auf der Modellierung und dem Einfluss von Verarmungsschichten um die Source- und Drain-Regionen auf die Sub-Threshold-Eigenschaften eines Kurzkanal-MOS-Transistors mit gleichm ig dotiertem Kanal. Ein analytisches Modell f r das Oberfl chenpotential unter der Schwelle in einem Kurzkanal-MOS-Transistor wurde entwickelt, indem die pseduo-2D-Poisson-Gleichung gel st wurde, die durch Anwendung des Gau schen Gesetzes auf einen rechteckigen Kasten im Kanal formuliert wurde, der die gesamte Tiefe der Verarmungsschicht abdeckt. Mit dem Modell konnte ein gr erer Einfluss der Verarmungsbereiche an den berg ngen bei kleinerer Kanall nge und/oder h heren Drain/Source-Vorspannungen aufgrund einer gr eren Ladungsverteilung vorhergesagt werden. Dasselbe Modell wird zur Ermittlung des Oberfl chenpotenzials unterhalb der Schwelle f r Doppel-Halo-MOSFETs verwendet. Die Verkleinerung der Bauelementedimensionen f hrt zu einer Verringerung der Gateoxiddicke. Dies hat zur Folge, dass der unerw nschte Hei e-Elektronen-Effekt und der Gate-Tunnelstrom zunehmen. Um diesen Nachteil zu berwinden, wird anstelle von Siliziumdioxid High-k-Material als Isoliermaterial unter dem Gate verwendet. Diese Modellierung wird sich als vorteilhaft erweisen und bei weiteren Forschungsarbeiten in der Zukunft helfen.

Neste livro, o foco principal foi a modelagem e a influ ncia das camadas de deple o em torno das regi es de fonte e dreno nas caracter sticas sublimiares de um transistor MOS de canal curto com canal uniformemente dopado. Foi desenvolvido um modelo anal tico para o potencial de superf cie sublimiar num trans stor MOS de canal curto, resolvendo a equa o de Poisson pseduo-2D, formulada atrav s da aplica o da lei de Gauss a uma caixa retangular no canal que cobre toda a profundidade da camada de deple o. O modelo foi capaz de prever uma maior influ ncia das regi es de deple o da jun o para um comprimento de canal menor e/ou tens es de polariza o dreno/fonte mais elevadas devido a uma maior partilha de carga. O mesmo modelo aplicado para encontrar o potencial de superf cie sublimiar para MOSFETs de duplo halo. A diminui o da dimens o do dispositivo leva redu o da espessura do xido de porta. Como resultado, o efeito indesej vel de electr es quentes e a corrente de tunelamento da porta aumentam. Para ultrapassar este inconveniente, s o utilizados materiais high-k em vez de di xido de sil cio como material isolante por baixo da porta. Esta modela o revelar-se- ben fica e contribuir para futuros trabalhos de investiga o.

Dans ce livre, l'accent a t mis sur la mod lisation et l'influence des couches de d pl tion autour des r gions de source et de drain sur les caract ristiques de sous-seuil d'un transistor MOS canal court avec un canal uniform ment dop . Un mod le analytique pour le potentiel de surface sous le seuil dans un transistor MOS canal court a t d velopp en r solvant l' quation de Poisson pseduo-2D, formul e en appliquant la loi de Gauss une bo te rectangulaire dans le canal couvrant toute la profondeur de la couche d'appauvrissement. Le mod le a permis de pr dire une influence accrue des r gions de d pl tion de la jonction pour une longueur de canal plus petite et/ou des tensions de polarisation drain/source plus lev es, en raison d'un partage accru des charges. Le m me mod le est appliqu pour d terminer le potentiel de surface sous le seuil pour les MOSFET double halo. La r duction des dimensions du dispositif entra ne une diminution de l' paisseur de l'oxyde de grille. Il en r sulte un effet ind sirable d' lectrons chauds et une augmentation du courant de tunnel de la grille. Afin de rem dier cet inconv nient, des mat riaux High-K sont utilis s la place du dioxyde de silicium comme mat riau isolant sous la grille. Cette mod lisation s'av rera b n fique et contribuera d'autres travaux de recherche l'avenir.

Une description simple et informative du sujet est illustr e, ce qui est b n fique pour les tudiants de premier cycle et de troisi me cycle. L'ensemble de l'ouvrage a t regroup en 24 sections, chaque chapitre contenant des perspectives optimis es pour donner une id e g n rale de ce qu'il faut explorer. De nombreuses sous-sections et un index complet permettent aux lecteurs d'y acc der rapidement. Des illustrations, des organigrammes et des tableaux peuvent tre facilement associ s au concept appris pour que les tudiants puissent les corr ler, les intercepter et s'en souvenir.

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