Untersuchung des Oberflächenpotentials von MOSFETs im Unterschwellenbereich – hinnat ja saatavuus
Kirjafiili on kirjojen hintavertailu. Löydä halvin hinta 27 kirjakaupasta. Hintavertailu koskee ISBN-tunnusta 9786206353508 (pokkari).
Kirjan kuvaus
In diesem Buch liegt der Schwerpunkt auf der Modellierung und dem Einfluss von Verarmungsschichten um die Source- und Drain-Regionen auf die Sub-Threshold-Eigenschaften eines Kurzkanal-MOS-Transistors mit gleichm ig dotiertem Kanal. Ein… Näytä koko kuvaus Piilota kuvaus
In diesem Buch liegt der Schwerpunkt auf der Modellierung und dem Einfluss von Verarmungsschichten um die Source- und Drain-Regionen auf die Sub-Threshold-Eigenschaften eines Kurzkanal-MOS-Transistors mit gleichm ig dotiertem Kanal. Ein analytisches Modell f r das Oberfl chenpotential unter der Schwelle in einem Kurzkanal-MOS-Transistor wurde entwickelt, indem die pseduo-2D-Poisson-Gleichung gel st wurde, die durch Anwendung des Gau schen Gesetzes auf einen rechteckigen Kasten im Kanal formuliert wurde, der die gesamte Tiefe der Verarmungsschicht abdeckt. Mit dem Modell konnte ein gr erer Einfluss der Verarmungsbereiche an den berg ngen bei kleinerer Kanall nge und/oder h heren Drain/Source-Vorspannungen aufgrund einer gr eren Ladungsverteilung vorhergesagt werden. Dasselbe Modell wird zur Ermittlung des Oberfl chenpotenzials unterhalb der Schwelle f r Doppel-Halo-MOSFETs verwendet. Die Verkleinerung der Bauelementedimensionen f hrt zu einer Verringerung der Gateoxiddicke. Dies hat zur Folge, dass der unerw nschte Hei e-Elektronen-Effekt und der Gate-Tunnelstrom zunehmen. Um diesen Nachteil zu berwinden, wird anstelle von Siliziumdioxid High-k-Material als Isoliermaterial unter dem Gate verwendet. Diese Modellierung wird sich als vorteilhaft erweisen und bei weiteren Forschungsarbeiten in der Zukunft helfen.
Kirjan tiedot
Vertaa kirjan ”Untersuchung des Oberflächenpotentials von MOSFETs im Unterschwellenbereich” hintoja
Vertaa tuotteen hintaa ja arvioitua kokonaishintaa toimitettuna. Kaikki hinnat koskevat ISBN-tunnusta 9786206353508.
Hintoja ei päivitetty automaattisesti. Voit hakea ajantasaiset hinnat painamalla Hae hinnat.
Booky
Suomalainen
Kansallinen Kirjakauppa
Prisma
Finlandia Kirja
Fantasiapelit
Vinhan kirjakauppa
CDON
Kustantamo S&S
Kennys.ie
Kristillinenkirjakauppa.fi
Sacrum
Adlibris
BookOutlet.fi
Kirja.fi
Rosebud
Tälle kirjalle ei ole tällä hetkellä vahvistettua hintaa. Tarkista tilanne myöhemmin uudelleen.
Hintoja ei ole vielä päivitetty.
Hälytys tallennettu!
Ilmoitamme, kun hinta laskee.
Saat sähköpostin, kun hinta laskee asettamaasi rajaan tai sen alle.
Untersuchung des Oberflächenpotentials von MOSFETs im Unterschwellenbereich – hintahistoria
Seuraamme kirjan Untersuchung des Oberflächenpotentials von MOSFETs im Unterschwellenbereich hintakehitystä kirjakaupoissa. Taulukosta näet viime kuukausien alimmat hinnat.
Alin hinta kauppoittain
Kunkin kaupan alin hinta viimeisten 90 päivän aikana.
Hintahistoriaa ei ole vielä kerätty tälle kirjalle.
Hinnat ilman toimituskuluja.