Swapnadip De

In questo libro l'attenzione si concentrata sulla modellazione e sull'influenza degli strati di deplezione attorno alle regioni di source e drain sulle caratteristiche sotto-soglia di un transistor MOS a canale corto con canale uniformemente drogato. stato sviluppato un modello analitico per il potenziale superficiale sotto-soglia in un transistor MOS a canale corto risolvendo l'equazione di Poisson pseduo-2D, formulata applicando la legge di Gauss a una scatola rettangolare nel canale che copre l'intera profondit dello strato di impoverimento. Il modello stato in grado di prevedere una maggiore influenza delle regioni di deplezione della giunzione per una minore lunghezza del canale e/o per tensioni di polarizzazione drain/source pi elevate, a causa di una maggiore condivisione della carica. Lo stesso modello stato applicato per trovare il potenziale superficiale sotto soglia dei MOSFET a doppio alone. La riduzione delle dimensioni del dispositivo porta alla riduzione dello spessore dell'ossido di gate. Di conseguenza, aumenta l'effetto indesiderato degli elettroni caldi e la corrente di tunneling di gate. Per ovviare a questo inconveniente, al posto del biossido di silicio come materiale isolante sotto il gate vengono utilizzati materiali ad alto coefficiente k. Questi modelli si riveleranno utili e contribuiranno a ulteriori lavori di ricerca in futuro.

Le livre explore les machines voter intelligentes, en se concentrant sur la triple couche de s curit et d'authentification. Gr ce une combinaison d'analyse th orique et de mise en oeuvre pratique, l' tude vise renforcer la s curit , ce qui se traduit par un vote infaillible et une absence totale de falsification des r sultats. Gr ce une base de donn es s curis e, les votes enregistr s sont analys s, ce qui permet d' viter la corruption et d'obtenir un r sultat unanime. Les r sultats contribuent l'innovation des machines voter existantes, en offrant une m thode plus m canis e sans intervention humaine. Cette recherche souligne l'importance de l'authentification des lecteurs et ouvre la voie de futurs d veloppements dans les lections en Inde.

I media visivi sono mezzi che possono essere percepiti dai nostri sensi visivi. I riferimenti pi antichi ai media visivi sono ovviamente i dipinti incisi su rocce, muri e successivamente tele. Con l'avvento delle opere teatrali, abbiamo assistito a rappresentazioni visive in successione. Con l'avvento della televisione, abbiamo visto immagini digitalizzate in successione. Da allora abbiamo fatto passi da gigante. Ci sono computer e telefoni su cui i media digitalizzati sono comprensibili e accessibili. L'animazione ora disponibile per le masse, un fenomeno in cui le immagini disegnate si muovono mentre vengono fatte recitare, danzare e parlare. La tecnologia 3D ormai di dominio comune, cos come la realt virtuale e aumentata. Con queste strabilianti variazioni del modo in cui l'essere umano percepisce i media, i nostri orizzonti si sono ampliati. Ora possiamo collocare un'immagine all'interno dell'immagine, cos come un'immagine immaginaria all'interno di un'immagine reale. Possiamo vedere le immagini in tre, quattro e cinque dimensioni e immaginare l'immaginazione come realt . I media visivi si sono veramente evoluti nel corso degli anni, e il processo stato complesso, ma fruttuoso.

Les m dias visuels sont des supports qui peuvent tre per us par nos sens visuels. Les plus anciennes r f rences connues aux m dias visuels sont bien s r les peintures grav es sur les rochers, les murs et, plus tard, les toiles. Avec l'av nement des pi ces de th tre, nous avons vu des images se succ der. Avec l'av nement de la t l vision, nous avons vu des images num ris es se succ der. Depuis, nous avons fait des pas de g ant. Il existe des ordinateurs, des appareils t l phoniques sur lesquels les m dias num ris s sont compr hensibles et accessibles. L'animation est d sormais accessible au plus grand nombre, un ph nom ne dans lequel les images dessin es bougent lorsqu'on les fait agir, danser et parler. La technologie 3D est d sormais bien connue, tout comme la r alit virtuelle et augment e. Avec ces variations poustouflantes de la fa on dont un tre humain per oit les m dias, nos horizons se sont largis. Nous pouvons d sormais placer une image dans une image, ainsi qu'une image imaginaire dans une image r elle. Nous pouvons voir des images en trois, quatre et cinq dimensions, et faire de notre imagination une r alit . Les m dias visuels ont v ritablement volu au fil des ans, et le processus a t lourd, mais fructueux.

Os meios de comunica o visuais s o meios que podem ser percepcionados pelos nossos sentidos visuais. As refer ncias mais antigas que conhecemos aos meios de comunica o visuais s o, naturalmente, as pinturas gravadas em rochas, paredes e, mais tarde, em telas. Com o aparecimento das pe as de teatro, vimos imagens apresentadas em sucess o. Com o advento da televis o, vimos imagens digitalizadas em sucess o. Desde ent o, temos vindo a dar passos largos. Existem computadores e aparelhos telef nicos nos quais os meios digitalizados s o compreens veis e acess veis. A anima o est agora dispon vel para as massas, um fen meno em que as imagens desenhadas se movem medida que s o feitas para representar, dan ar e falar. A tecnologia 3D agora do conhecimento geral, tal como a realidade virtual e aumentada. Com estas varia es espantosas da forma como o ser humano percepciona os media, os nossos horizontes expandiram-se. Podemos agora colocar imagem dentro de imagem, bem como uma imagem imagin ria dentro de uma imagem real. Podemos ver imagens em tr s, quatro e cinco dimens es, e imaginar a imagina o como realidade. Os meios de comunica o visuais evolu ram verdadeiramente ao longo dos anos, e o processo tem sido complicado, mas frutuoso.

Visuelle Medien sind Medien, die mit unseren visuellen Sinnen wahrgenommen werden k nnen. Die ltesten uns bekannten Hinweise auf visuelle Medien sind nat rlich die auf Felsen, W nde und sp ter auf Leinw nde ge tzten Gem lde. Mit dem Aufkommen des Theaters sahen wir visuelle Darstellungen, die nacheinander aufgef hrt wurden. Mit dem Aufkommen des Fernsehens sahen wir nacheinander digitalisierte Bilder. Seitdem haben wir gro e Spr nge gemacht. Es gibt Computer und Telefone, auf denen digitalisierte Medien verst ndlich und zug nglich sind. Animationen sind nun f r die breite Masse zug nglich, ein Ph nomen, bei dem sich gezeichnete Bilder bewegen, wenn sie zum Leben erweckt werden, tanzen und sprechen. Die 3D-Technologie ist heute ebenso bekannt wie die virtuelle und erweiterte Realit t. Mit diesen verbl ffenden Variationen der menschlichen Medienwahrnehmung haben sich unsere Horizonte erweitert. Wir k nnen jetzt ein Bild in ein Bild setzen, ebenso wie ein imagin res Bild in ein reales Bild. Wir k nnen Bilder in drei, vier und f nf Dimensionen betrachten und uns die Fantasie als Realit t vorstellen. Die visuellen Medien haben sich im Laufe der Jahre wirklich weiterentwickelt, und dieser Prozess war zwar m hsam, aber fruchtbar.

Neste livro, as t cnicas de engenharia de canal e engenharia de porta s o combinadas para formar novas estruturas de dispositivos propostas como MOSFETs de porta de material duplo de halo nico (SHDMG) e de porta de material duplo de halo duplo (DHDMG). Os MOSFET avan ados s o dopados de forma n o uniforme em resultado de um fluxo de processo complexo. Por conseguinte, um dos factores-chave para modelar com precis o os par metros caracter sticos modelar o seu perfil de dopagem n o uniforme. O livro apresenta tamb m um modelo anal tico do potencial de superf cie sublimiar, da tens o limiar, da corrente de drenagem baseada na teoria da deriva-difus o e da transcondut ncia para SHDMG e DHDMG n-MOSFETs lineares e de perfil gaussiano que funcionam at ao regime de 40 nm. tamb m proposto um modelo anal tico de corrente de drenagem sub-limiar baseado no potencial quasi-Fermi para trans stores SHDMG e DHDMG MOS lineares e de perfil gaussiano, incorporando os campos de franja nas duas extremidades do dispositivo.

In questo libro, le tecniche di ingegneria del canale e di ingegneria del gate sono combinate per formare nuove strutture di dispositivi proposte come MOSFET a singolo alone e doppio materiale (SHDMG) e MOSFET a doppio alone e doppio materiale (DHDMG). I MOSFET avanzati sono drogati in modo non uniforme a causa del complesso flusso di processo. Pertanto, uno dei fattori chiave per modellare accuratamente i parametri caratteristici la modellazione del profilo di drogaggio non uniforme. Il libro presenta anche un modello analitico del potenziale superficiale sotto soglia, della tensione di soglia, della corrente di drenaggio basata sulla teoria della diffusione della deriva e della transconduttanza per gli n-MOSFET SHDMG e DHDMG a profilo lineare e gaussiano che operano fino al regime dei 40 nm. Viene inoltre proposto un modello analitico di corrente di drenaggio sotto soglia basato sul potenziale quasi-Fermi per transistor MOS SHDMG e DHDMG lineari e a profilo gaussiano, che incorpora i campi di frangia alle due estremit del dispositivo.

In diesem Buch werden Kanal- und Gate-Techniken kombiniert, um neuartige Bauelementestrukturen zu bilden, die als Single-halo Dual Material Gate (SHDMG) und Double-halo Dual Material Gate (DHDMG) MOSFETs vorgeschlagen werden. Moderne MOSFETs sind aufgrund des komplexen Prozessablaufs ungleichm ig dotiert. Daher ist einer der Schl sselfaktoren f r die genaue Modellierung der charakteristischen Parameter die Modellierung des ungleichm igen Dotierungsprofils. In diesem Buch wird auch ein analytisches Modell f r das Oberfl chenpotential unterhalb der Schwelle, die Schwellenspannung, den Drainstrom und die Transkonduktanz auf der Grundlage der Drift-Diffusionstheorie f r lineare und auf einem Gau schen Profil basierende SHDMG- und DHDMG-n-MOSFETs vorgestellt, die bis zu 40 nm arbeiten. Ein auf Quasi-Fermi-Potential basierendes analytisches Modell des Drain-Stroms unterhalb der Schwelle f r lineare und auf Gau -Profil basierende SHDMG- und DHDMG-MOS-Transistoren, das auch die Streufelder an den beiden Enden des Bauelements ber cksichtigt, wird ebenfalls vorgeschlagen.

In diesem Buch liegt der Schwerpunkt auf der Modellierung und dem Einfluss von Verarmungsschichten um die Source- und Drain-Regionen auf die Sub-Threshold-Eigenschaften eines Kurzkanal-MOS-Transistors mit gleichm ig dotiertem Kanal. Ein analytisches Modell f r das Oberfl chenpotential unter der Schwelle in einem Kurzkanal-MOS-Transistor wurde entwickelt, indem die pseduo-2D-Poisson-Gleichung gel st wurde, die durch Anwendung des Gau schen Gesetzes auf einen rechteckigen Kasten im Kanal formuliert wurde, der die gesamte Tiefe der Verarmungsschicht abdeckt. Mit dem Modell konnte ein gr erer Einfluss der Verarmungsbereiche an den berg ngen bei kleinerer Kanall nge und/oder h heren Drain/Source-Vorspannungen aufgrund einer gr eren Ladungsverteilung vorhergesagt werden. Dasselbe Modell wird zur Ermittlung des Oberfl chenpotenzials unterhalb der Schwelle f r Doppel-Halo-MOSFETs verwendet. Die Verkleinerung der Bauelementedimensionen f hrt zu einer Verringerung der Gateoxiddicke. Dies hat zur Folge, dass der unerw nschte Hei e-Elektronen-Effekt und der Gate-Tunnelstrom zunehmen. Um diesen Nachteil zu berwinden, wird anstelle von Siliziumdioxid High-k-Material als Isoliermaterial unter dem Gate verwendet. Diese Modellierung wird sich als vorteilhaft erweisen und bei weiteren Forschungsarbeiten in der Zukunft helfen.

Neste livro, o foco principal foi a modelagem e a influ ncia das camadas de deple o em torno das regi es de fonte e dreno nas caracter sticas sublimiares de um transistor MOS de canal curto com canal uniformemente dopado. Foi desenvolvido um modelo anal tico para o potencial de superf cie sublimiar num trans stor MOS de canal curto, resolvendo a equa o de Poisson pseduo-2D, formulada atrav s da aplica o da lei de Gauss a uma caixa retangular no canal que cobre toda a profundidade da camada de deple o. O modelo foi capaz de prever uma maior influ ncia das regi es de deple o da jun o para um comprimento de canal menor e/ou tens es de polariza o dreno/fonte mais elevadas devido a uma maior partilha de carga. O mesmo modelo aplicado para encontrar o potencial de superf cie sublimiar para MOSFETs de duplo halo. A diminui o da dimens o do dispositivo leva redu o da espessura do xido de porta. Como resultado, o efeito indesej vel de electr es quentes e a corrente de tunelamento da porta aumentam. Para ultrapassar este inconveniente, s o utilizados materiais high-k em vez de di xido de sil cio como material isolante por baixo da porta. Esta modela o revelar-se- ben fica e contribuir para futuros trabalhos de investiga o.

Dans ce livre, l'accent a t mis sur la mod lisation et l'influence des couches de d pl tion autour des r gions de source et de drain sur les caract ristiques de sous-seuil d'un transistor MOS canal court avec un canal uniform ment dop . Un mod le analytique pour le potentiel de surface sous le seuil dans un transistor MOS canal court a t d velopp en r solvant l' quation de Poisson pseduo-2D, formul e en appliquant la loi de Gauss une bo te rectangulaire dans le canal couvrant toute la profondeur de la couche d'appauvrissement. Le mod le a permis de pr dire une influence accrue des r gions de d pl tion de la jonction pour une longueur de canal plus petite et/ou des tensions de polarisation drain/source plus lev es, en raison d'un partage accru des charges. Le m me mod le est appliqu pour d terminer le potentiel de surface sous le seuil pour les MOSFET double halo. La r duction des dimensions du dispositif entra ne une diminution de l' paisseur de l'oxyde de grille. Il en r sulte un effet ind sirable d' lectrons chauds et une augmentation du courant de tunnel de la grille. Afin de rem dier cet inconv nient, des mat riaux High-K sont utilis s la place du dioxyde de silicium comme mat riau isolant sous la grille. Cette mod lisation s'av rera b n fique et contribuera d'autres travaux de recherche l'avenir.